DB HiTek完成8英吋1200V碳化矽MOSFET工藝可靠性認證

• 建成全球首套完整8英吋碳化矽(SiC)代工工藝流程
• 向客戶交付第一代、第二代工藝設計套件(PDK)，第三代PDK計劃於11月推出；有望將產品開發週期縮短一年以上

韓國首爾2026年9月9日 -- 韓國領先的純代工模式8英吋晶圓代工廠DB HiTek宣佈，其基於8英吋（200毫米）晶圓的1200V碳化矽(SiC) MOSFET工藝已順利完成可靠性認證。該成果是該公司進軍8英吋SiC代工市場的重要進展，計劃於2027年實現量產。通過本次認證，DB HiTek計劃加大對客戶產品開發的支援力度，拓展新客戶，並加快推進2027年量產的各項籌備工作。

SiC屬於下一代功率半導體材料，在高溫高壓工況下效能優於傳統矽(Si)材料，非常適用於電動汽車(EV)、新能源系統及工業功率裝置。當前SiC市場仍以6英吋晶圓為主，全球各大半導體廠商正轉向8英吋晶圓，以此提升生產效率和成本競爭力。為順應這一市場轉型趨勢，DB HiTek開發了8英吋SiC工藝技術，搭建起自己的代工服務能力。

通過對大功率SiC MOSFET工藝的最佳化，DB HiTek實現了具備競爭優勢的電學特性與高可靠性。公司搭建完成了全球首套完整1200V 8英吋SiC代工工藝流程，打造出可覆蓋客戶設計、製造、電學特性表徵及可靠性認證全環節的代工服務平臺。

為加快8英吋SiC代工業務商業化落地，DB HiTek向客戶提供了其專有第一代與第二代1200V SiC MOSFET工藝對應的工藝設計套件(PDK)。第三代PDK計劃於今年11月釋出。藉助該類PDK，客戶可削減開發初期所需投入的資源，加速樣片流片，並將產品開發週期縮短一年以上。

該PDK支援的第二代工藝，在柵極導通電壓(Vgs(on))=18V的條件下，可實現比導通電阻(Rsp)≤2.5 mΩ・cm²，閾值電壓(Vth)≥3 V，目前已完成工藝開發中高難度的可靠性認證。

計劃於11月推出的第三代工藝正在開展認證工作，其目標為：同樣在18V柵極導通電壓條件下，比導通電阻≤2.3 mΩ・cm²；同時短路安全工作區(SCSOA)內的短路耐受時間(SCWT)不低於2.5 μs。認證全部完成後，DB HiTek將向客戶提供第三代PDK。

DB HiTek計劃於今年第三季度完成工藝籌備，優先向長期合作客戶開放使用；2027年第二季度面向全部客戶正式開放這項代工服務。

DB HiTek相關負責人表示：「本次1200V SiC MOSFET工藝可靠性認證的完成，意義重大，標誌著我們已掌握全球首項8英吋SiC代工服務所需的核心工藝技術與製造基礎。我們將持續推進2027年8英吋SiC量產的籌備工作，力爭佔據市場席位，提升公司在下一代功率半導體代工領域的競爭實力。」